NE3512S02-T1D 制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
NE3512S02-T1D-A功能描述:射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
NE3513M04 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:N-Channel GaAs HJ-FET, X to Ku Band Low Noise and High-Gain